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李天錫 教授　 Lee, Tien-Hsi 辦公室： (Office) E4-363 專線電話： (Tel) 03-4267302 校內分機： (Campus Extension) 34302 傳真電話: (Fax) 03-4254501 E-mail： benlee@ncu.edu.tw

專利 (Patents)

類別 專利申請案件名稱 國別 發明人 提申案號/證書號/ 權利期間 專利簡介 發明專利 一種製作可轉移性晶體薄膜的方法 中華民國 李天錫 098142691 I451474 首先在該氧化鋁基板表面依序生長一金屬氮化物薄膜層、一非晶薄膜層於該金屬氮化層上、使薄膜層於該非晶薄膜層上再結晶形成單晶薄膜層。 發明專利 薄膜製造方法 中華民國 李天錫; 黃敬涵; 張朝喨; 楊耀渝 097121038 I469252 本發明係為一種薄膜製造方法，發明核心在於形成犧牲層於蝕刻停止薄膜層上；應用犧牲層大幅減少轉移之薄膜厚度低於100nm。 發明專利 表面平滑處理方法 中華民國 李天錫; 陳秉翔; 黃敬涵; 何嘉哲 097134092 I479552 本發明藉由具選擇性蝕刻之拋光溶液平滑薄膜層表面。藉由本發明之實施可縮短薄膜層表面處理時間，同時達到表面平滑之幼纂C 發明專利 具薄膜之基板結構製造方法及其基板結構 中華民國 李天錫; 賴朝松; 黃敬涵; 何嘉哲; 巫秉融; 鄭守鈞 097134082 I485750 本發明藉由摻雜氫離子，以使得氫離子添入脆化層中，並可利用輸入能量處理，而脆化碎裂脆化層以分離元件層與原始基板。由於氫離子係以摻雜之方式添入脆化層中，因此元件層的晶格結構在摻雜氫離子的過程中不會受到破壞而損傷。

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