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利定東 教授　Li Ting Tung 辦公室： (Office) E2-204 專線電話： (Tel) x 校內分機： (Campus Extension) x 傳真電話: (Fax) 03-4254501 E-mail： tomili@ncu.edu.tw

專利 (Patents)

類別 專利申請案件名稱 國別 發明人 提申案號/證書號/ 權利期間 專利簡介 發明 矽薄膜太陽能電池之製備方法 中華民國 利定東, 張正陽, 陳昇暉, 李正中 100101245 TW I437721 B 20140511~20310113 本發明係有關於一種矽薄膜太陽能電池之製備方法，其包括：提供一基板；形成一第一電極於該基板上；藉由化學氣相沉積法，形成一第一摻雜半導體層於該第一電極上；藉由化學氣相沉積法，形成一本質層於該第一摻雜半導體層上，其中該本質層包含複數個非晶/奈米晶矽層，而該本質層係藉由變化該些非晶/奈米晶矽層之平均晶粒尺寸而具有不同能隙；藉由化學氣相沉積法，形成一第二摻雜半導體層於該本質層上，其中第一摻雜半導體層與第二摻雜半導體層中之其中一者為p型非晶矽層，而另一者為n型非晶/奈微晶矽層；以及形成一第二電極於該第二摻雜半導體層上。據此，本發明可於單接面結構中達到擴展吸收光譜之目的。 新型專利 Method for manufacturing silicon thin-film solar cells USA Tomi T. LI, Jeng-Yang Chang, Sheng-Hui Chen, Cheng-Chung Lee 13/343,373 US 8,679,892 B2 201403~203403 The present invention relates to a method for manufacturing silicon thin-flm solar cells, including: providing a substrate; forming a first electrode on the substrate; forming a first doped semiconductor layer on the first electrode by chemical vapor deposition; forming an intrinsic layer on the first doped semiconductor layer by chemical vapor deposition, Where the intrinsic layer includes a plurality of amorphous/nanocrystal line silicon layers, and the intrinsic layer has various energy bandgaps formed by varying average grain siZes of the amor phous/nanocrystalline silicon layers; forming a second doped semiconductor layer on the intrinsic layer by chemical vapor deposition, Where one of the first doped semiconductor layer and the second doped semiconductor layer is a p-type amor phous silicon layer and the other is an n-type amorphous/ nano-microcrystalline silicon layer; and forming a second electrode on the second doped semiconductor layer. Accord ingly, the present invention can achieve broadband absorption in a single junction structure. 新型專利 PLASMA SOURCE SYSTEM AND SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT INCLUDING THE SAME 中華民國 戴涪、利定東、戴致陽、葉映雲 098126945 201106805 201102~202602 本發明提供一種電漿源系統，其中包含一真空電漿反應艙、一偏極化橢圓形導波管、一磁 場產生器以及一電磁波產生器。該偏極化橢圓形導波管將橫向電場模式偏極化微波導入真 空電漿反應艙。該磁場產生器所提供的靜磁場可產生電子迴旋共振效應，以游離真空電漿 反應艙中的反應氣體。該電磁波產生器係藉由產生射頻電磁波效應游離真空電漿反應艙中 的反應氣體。受上述兩種效應游離的反應氣體經過混合，可成為高密度的電漿源。