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李天錫 教授　 Lee, Tien-Hsi 辦公室： (Office) E4-363 專線電話： (Tel) 03-4267302 校內分機： (Campus Extension) 34302 傳真電話: (Fax) 03-4254501 E-mail： benlee@ncu.edu.tw

專利 (Patents)

類別 專利申請案件名稱 國別 發明人 提申案號/證書號/ 權利期間 專利簡介 發明專利 Method of making an extreme ultraviolet pellicle United States of America Chih-Tsung Shih, Tien-Hsi Lee*, Chia-Jen Chen, Shang-Chieh Chien, Shinn-Sheng Yu, Jeng-Horng Chen, Anthony Yen 20160109798 9442368 2016-2035 台積電 EUV (極紫外光) 光刻製程關鍵技術專利 發明專利 Method of making an extreme ultraviolet pellicle United States of America Chih-Tsung Shih, Tien-Hsi Lee*, Chia-Jen Chen, Shang-Chieh Chien, Shinn-Sheng Yu, Jeng-Horng Chen, Anthony Yen 20160363857 9664999 2016-2035 台積電 EUV (極紫外光) 光刻製程關鍵技術專利 發明專利 一種在基板上製作薄膜方法 中華民國 李天錫 108111112 NA 2019--2039 應用 Ion-Cut 原理製作低於 50 nm 厚度以下單晶薄膜 發明專利 一種在表面吸附離子形成偶極來鍵合基板的方法 中華民國 李天錫 104114705 I556283 2016-2035 一種利用在表面吸附離子形成偶極(dipole)來低溫鍵合基板的方法。 發明專利 Method of making an extreme ultraviolet pellicle United States of America Chih-Tsung Shih, Tien-Hsi Lee*, Chia-Jen Chen, Shang-Chieh Chien, Shinn-Sheng Yu, Jeng-Horng Chen, Anthony Yen 2014259194 9256123 2014-2034 台積電 EUV (極紫外光) 光刻製程關鍵技術專利 發明專利 Manufacturing method of a thin film on a substrate United States of America Tien-Hsi Lee 09630,531 6,486,008 製作5G、物聯網、汽車感測元件之關鍵材料，100 nm以下SOI晶圓材料製造技術。 發明專利 Methods for transferring a layer onto a substrate United States of America Tien-Hsi Lee 10454,099 7,459,025 2003-2023 用磊晶材料技術製作高必v、驅動元件、內燃機高溫感測元件之關鍵材料，SOI材料製造技術。 發明專利 Producing a transferred layer by implanting ions through a sacrificial layer and an etching stop layer United States of America Lee; Tien-Hsi (Taipei, TW), Huang; Ching-Han (Bade, TW), Chang; Chao-Liang (Sanchong, TW), Yang; Yao-Yu (Taipei, TW) 12999,452 8,088,67 2009-2029 一種應用晶圓鍵合技術製作深紫外光(EUV)光罩薄膜方法，協助製作7 nm 以下元件。 發明專利 在基板上製作薄膜方法 中華民國 李天錫 089103407 142642 2000-2020 本發明係揭露一種薄膜轉移的方法，用來將一薄膜層自一供應基板中分離並轉移至一需求基板表面。 發明專利 在基板上製作薄膜方法 中華民國 李天錫 092132202 I290342 本專利是最早應用微波技術於半導體製程之專利。

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